采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
功率：1.56W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.2V@1.2mA
类型：1个N沟道
连续漏极电流：15A
漏源电压：42V
工作温度：-40℃~+150℃
导通电阻：68mΩ@10V，3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
功率：1.56W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.2V@1.2mA
类型：1个N沟道
连续漏极电流：15A
漏源电压：42V
工作温度：-40℃~+150℃
导通电阻：68mΩ@10V，3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8896
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2525pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
功率：2.5W
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8896
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2525pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
功率：2.5W
连续漏极电流：15A
栅极电荷：67nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8260L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：15A
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
功率：1W
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
输入电容：5245pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：26nC@10V
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：26nC@10V
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
连续漏极电流：15A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：750}
规格型号(MPN)：FDMD8260L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
输入电容：5245pF@30V
连续漏极电流：15A
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：26nC@10V
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
连续漏极电流：15A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8896
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2525pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
功率：2.5W
连续漏极电流：15A
栅极电荷：67nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：26nC@10V
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
连续漏极电流：15A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8896
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2525pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
功率：2.5W
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8896
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5852NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8896
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8896
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8896
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4794}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8817NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
