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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订10个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订100个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订1000个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

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    类型:N沟道

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订100个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订500个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

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    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订500个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订1000个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

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    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

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    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:5000
    加购:5000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订100个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

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    漏源电压:100V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订100个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:50W

    栅极电荷:9.3nC@10V

    连续漏极电流:15A

    输入电容:1480pF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:50W

    栅极电荷:9.3nC@10V

    连续漏极电流:15A

    输入电容:1480pF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1749pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:271mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    ST Mosfet场效应管 STB16N90K5
    ST Mosfet场效应管 STB16N90K5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB16N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:29.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1027pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB90R340C3ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB90R340C3ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB90R340C3ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@9.2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8896

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1749pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:271mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCMN2014HE3-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCMN2014HE3-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCMN2014HE3-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1791pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,8V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD18N20V2TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UTS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UTS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3020UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1304pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.03W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1304pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD18N20V2TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
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