采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：50nC@10V
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连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：109000，"MI+"：7000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：230}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
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连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
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导通电阻：125mΩ@10V，11A
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功率：3.75W€125W
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连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：109000，"MI+"：7000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：109000，"MI+"：7000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
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连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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