采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK250N10P
工作温度：-55℃~175℃
功率：1250W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H1M7STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：147nC@10V
输入电容：9.871nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3，"22+"：87}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF6MR12KM1PHOSA1
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：5.15V@80mA
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：14700pF@800V
连续漏极电流：250A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5.81mΩ@250A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK250N10P
工作温度：-55℃~175℃
功率：1250W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2096，"20+"：4000，"22+"：12351，"23+"：248050，"24+"：1939，"MI+"：1084}
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLU250N04S41R7XTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：188W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：250A
类型：MOSFET
导通电阻：1.7mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT011N03TLE
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
导通电阻：1mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2096，"20+"：4000，"22+"：12351，"23+"：248050，"24+"：1939，"MI+"：1084}
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLU250N04S41R7XTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：188W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：250A
类型：MOSFET
导通电阻：1.7mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2096，"20+"：4000，"22+"：12351，"23+"：248050，"24+"：1939，"MI+"：1084}
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLU250N04S41R7XTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：188W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：250A
类型：MOSFET
导通电阻：1.7mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1126T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：131nC@10V
输入电容：9.2nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
反向传输电容：110pF@50V
导通电阻：2.2mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：4psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM250D17P2E004
工作温度：-40℃~150℃
功率：1800W
阈值电压：4V@66mA
包装方式：盒
输入电容：30000pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3，"22+"：87}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF6MR12KM1PHOSA1
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：5.15V@80mA
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：14700pF@800V
连续漏极电流：250A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5.81mΩ@250A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：4psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM250D17P2E004
工作温度：-40℃~150℃
功率：1800W
阈值电压：4V@66mA
包装方式：盒
输入电容：30000pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT011N03TLE
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
导通电阻：1mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H1M7STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：147nC@10V
输入电容：9.871nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3，"22+"：87}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF6MR12KM1PHOSA1
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：5.15V@80mA
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：14700pF@800V
连续漏极电流：250A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5.81mΩ@250A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK250N10P
工作温度：-55℃~175℃
功率：1250W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK250N10P
工作温度：-55℃~175℃
功率：1250W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK250N10P
工作温度：-55℃~175℃
功率：1250W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H1M7STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：147nC@10V
输入电容：9.871nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H1M7STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：147nC@10V
输入电容：9.871nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2096，"20+"：4000，"22+"：12351，"23+"：248050，"24+"：1939，"MI+"：1084}
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLU250N04S41R7XTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：188W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：250A
类型：MOSFET
导通电阻：1.7mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
