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    连续漏极电流: 35A
    行业应用: 工业
    漏源电压: 30V
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    当前匹配商品:100+
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    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR402DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR402DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR402DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:224.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18500pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:126
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:224.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18500pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:224.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18500pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:224.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18500pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":3000,"17+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP201-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR402DP-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR402DP-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR402DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7114ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0332DPB-01#J0
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0332DPB-01#J0

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0332DPB-01#J0

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2180pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
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