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    连续漏极电流: 35A
    阈值电压: 2.5V@1mA
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    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"1E+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJJ0315DPA-00#J5A

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    输入电容:4.3nF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5.9mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEC Mosfet场效应管 2SK4076-ZK-E1-AY 起订1000个装
    NEC Mosfet场效应管 2SK4076-ZK-E1-AY 起订1000个装

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4076-ZK-E1-AY

    功率:1W€26W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.2nF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0332DPB-01#J0 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0332DPB-01#J0 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0332DPB-01#J0

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2180pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订326个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订326个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"1E+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJJ0315DPA-00#J5A

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    输入电容:4.3nF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5.9mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0315DPA-00#J5A 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"1E+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJJ0315DPA-00#J5A

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    输入电容:4.3nF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5.9mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

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    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0332DPB-01#J0 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0332DPB-01#J0 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0332DPB-01#J0

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2180pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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