品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
栅极电荷:87nC@10V
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
输入电容:2620pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:35A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
栅极电荷:87nC@10V
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
输入电容:2620pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:35A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
栅极电荷:87nC@10V
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
输入电容:2620pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:35A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
功率:3.8W€52W
栅极电荷:53nC@10V
输入电容:1900pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:35A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
栅极电荷:87nC@10V
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
输入电容:2620pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:35A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7629DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
栅极电荷:177nC@10V
输入电容:5790pF@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:35A
栅极电荷:63nC@4.5V
漏源电压:20V
功率:33W
输入电容:3860pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615DN-T1-GE3
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:6000pF@10V
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
栅极电荷:87nC@10V
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
输入电容:2620pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:35A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:35A
栅极电荷:63nC@4.5V
漏源电压:20V
功率:33W
输入电容:3860pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615DN-T1-GE3
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:6000pF@10V
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615DN-T1-GE3
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:6000pF@10V
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7629DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
栅极电荷:177nC@10V
输入电容:5790pF@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:35A
栅极电荷:63nC@4.5V
漏源电压:20V
功率:33W
输入电容:3860pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7629DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:177nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5790pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7623DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR410DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS410DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR410DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: