品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035ENZ4C13
功率:379W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.72nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:105W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:20mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035ENZ4C13
功率:379W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.72nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000,"4C+":90000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0394DPA-00#J5A
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@4.5V
输入电容:2.43nF@10V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035ENZ4C13
功率:379W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.72nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035ENZ4C13
功率:379W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.72nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000,"4C+":90000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0394DPA-00#J5A
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@4.5V
输入电容:2.43nF@10V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035ENZ4C13
功率:379W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.72nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035ENZ4C13
功率:379W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.72nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3000,"12+":750,"13+":950,"14+":3992,"15+":120}
包装规格(MPQ):268psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN070-200P,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4.57nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4076-ZK-E1-AY
功率:1W€26W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.2nF@10V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@17.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035ENZ4C13
功率:379W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.72nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035ENZ4C13
功率:379W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.72nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000,"4C+":90000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0394DPA-00#J5A
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@4.5V
输入电容:2.43nF@10V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":3000,"11+":1586,"12+":1666,"13+":1644,"9999":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7535-55A,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:85W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:872pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6535KNX3C16
功率:370W
阈值电压:5V@1.3mA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:3nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:115mΩ@18.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6535KNX3C16
功率:370W
阈值电压:5V@1.3mA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:3nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:115mΩ@18.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000,"4C+":90000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0394DPA-00#J5A
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@4.5V
输入电容:2.43nF@10V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6535KNZ4C13
功率:379W
阈值电压:5V@1.21mA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:3nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:115mΩ@18.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7535-55A,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:85W
阈值电压:4V@1mA
输入电容:872pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):268psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN070-200P,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4.57nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN6586
功率:41W
阈值电压:1.35V@250μA
栅极电荷:20nC
输入电容:1.15nF
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF
导通电阻:6.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035ENZ4C13
功率:379W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.72nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN6586
功率:41W
阈值电压:1.35V@250μA
栅极电荷:20nC
输入电容:1.15nF
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF
导通电阻:6.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:133W
阈值电压:5.7V@5mA
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:管件
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":3000,"11+":1586,"12+":1666,"13+":1644,"9999":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7535-55A,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:85W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:872pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3000,"12+":750,"13+":950,"14+":3992,"15+":120}
包装规格(MPQ):268psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN070-200P,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4.57nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035ENZ4C13
功率:379W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.72nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035ENZ4C13
功率:379W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.72nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:133W
阈值电压:5.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:管件
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: