品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0065090J-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:3.5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@600V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@20A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC350N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4615PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@21A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR540ZTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:CREE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0065100K
工作温度:-55℃~150℃
功率:113.5W
阈值电压:3.5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@15V
包装方式:管件
输入电容:660pF@600V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@20A,15V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":165}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R057M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:133W
阈值电压:5.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:管件
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5014SLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3261pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0065090J-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:3.5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@600V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@20A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10F7
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10F7
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M11-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0655DPB-00#J5
工作温度:150℃
功率:60W
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N50DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":93000,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M11-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1345pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R057M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:133W
阈值电压:5.7V@5mA
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:管件
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR402DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT110N06D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1059pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: