品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:35A
栅极电荷:63nC@4.5V
漏源电压:20V
功率:33W
输入电容:3860pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:35A
栅极电荷:63nC@4.5V
漏源电压:20V
功率:33W
输入电容:3860pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:35A
栅极电荷:63nC@4.5V
漏源电压:20V
功率:33W
输入电容:3860pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":488,"19+":562,"21+":250,"MI+":500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA126N10N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:12.6mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":488,"19+":562,"21+":250,"MI+":500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA126N10N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:12.6mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: