采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC098N10NS5
功率：2.5W
阈值电压：3.8V@36μA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.8mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G60N04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.8nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@20V
导通电阻：5.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT105N10K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：1.574nF@50V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：20891}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0301DPB-00#J0
功率：65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
输入电容：5nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC098N10NS5
功率：2.5W
阈值电压：3.8V@36μA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.8mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：20891}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0301DPB-00#J0
功率：65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
输入电容：5nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：20891}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0301DPB-00#J0
功率：65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
输入电容：5nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC098N10NS5
功率：2.5W
阈值电压：3.8V@36μA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.8mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q(M
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，30A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1.301nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA59N30-JSM
功率：500W
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V，25A
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS60N02DP
功率：100W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4332PBF-JSM
功率：400W
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V，25A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA59N30-JSM
功率：500W
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V，25A
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4332PBF-JSM
功率：400W
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V，25A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT60N06D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：87W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：12mΩ@10V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q(M
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，30A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G60N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：146nC@10V
输入电容：3.97nF@50V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：160pF@50V
导通电阻：14mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q(M
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，30A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1.301nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10M
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：20891}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0301DPB-00#J0
功率：65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
输入电容：5nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
