品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G60N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.8nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@20V
导通电阻:5.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G600GNTL
功率:40W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46.5nC@10V
输入电容:3.4nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:150pF@20V
导通电阻:2.8mΩ@10V,60A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT060N04T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:1.301nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G600GNTL
功率:40W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46.5nC@10V
输入电容:3.4nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:150pF@20V
导通电阻:2.8mΩ@10V,60A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT060N04T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:1.301nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G600GNTL
功率:40W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46.5nC@10V
输入电容:3.4nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:150pF@20V
导通电阻:2.8mΩ@10V,60A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):KMB035N40DB
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):KMB035N40DB
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS060N04SZC
功率:37W
阈值电压:1.6V@250μA
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.8mΩ@4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS060N04SZC
功率:37W
阈值电压:1.6V@250μA
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.8mΩ@4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G600GNTL
功率:40W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46.5nC@10V
输入电容:3.4nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:150pF@20V
导通电阻:2.8mΩ@10V,60A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G600GNTL
功率:40W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46.5nC@10V
输入电容:3.4nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:150pF@20V
导通电阻:2.8mΩ@10V,60A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G600GNTL
功率:40W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46.5nC@10V
输入电容:3.4nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:150pF@20V
导通电阻:2.8mΩ@10V,60A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G600GNTL
功率:40W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46.5nC@10V
输入电容:3.4nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:150pF@20V
导通电阻:2.8mΩ@10V,60A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):KMB035N40DB
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT060N04T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:1.301nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G600GNTL
功率:40W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46.5nC@10V
输入电容:3.4nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:150pF@20V
导通电阻:2.8mΩ@10V,60A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):KMB035N40DB
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS060N04SZC
功率:37W
阈值电压:1.6V@250μA
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.8mΩ@4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):KMB035N40DB
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
导通电阻:5.5mΩ@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: