品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N031HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1922pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":140,"04+":29100}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N031HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1922pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N031HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1922pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":140,"04+":29100}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N031HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1922pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT088N06T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:75W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.62nF@30V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT088N06T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:75W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.62nF@30V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N031HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1922pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4373,"21+":6202,"22+":12625,"23+":877}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT088N06T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:75W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.62nF@30V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N031HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1922pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N031HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1922pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4373,"21+":6202,"22+":12625,"23+":877}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":140,"04+":29100}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N031HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1922pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":4059,"03+":32500,"04+":10000,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4373,"21+":6202,"22+":12625,"23+":877}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4373,"21+":6202,"22+":12625,"23+":877}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L030HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2128pF@25V
导通电阻:3mΩ@30A,10V
连续漏极电流:60A
漏源电压:40V
类型:2个N通道(半桥)
阈值电压:2V@25µA
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"03+":140,"04+":29100}
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:2150pF@24V
功率:75W
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"03+":140,"04+":29100}
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:2150pF@24V
功率:75W
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存: