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    连续漏极电流: 60A
    工作温度: -55℃~175℃
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    ST Mosfet场效应管 STD60NF55LAT4
    ST Mosfet场效应管 STD60NF55LAT4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD60NF55LAT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:40nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STL50N6F7
    ST Mosfet场效应管 STL50N6F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL50N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60N20-35_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60N20-35_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM60N20-35_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG040N120SC1
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG040N120SC1

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:357W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1789pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L039ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1179pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.02mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA02EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA02EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA02EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-40MSDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-40MSDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-40MSDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:59W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1322pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NVBG040N120SC1
    onsemi Mosfet场效应管 NVBG040N120SC1

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBG040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:357W

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1789pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD70N10F4
    ST Mosfet场效应管 STD70N10F4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD70N10F4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5800pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N044ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N044ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6N044ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@14µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1042pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.52mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG040N120SC1
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG040N120SC1

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":14,"22+":42}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:357W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1789pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2922pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STD60NF55LT4
    ST Mosfet场效应管 STD60NF55LT4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD60NF55LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S4L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.1V@46µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3490,"23+":805}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S4L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.1V@46µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTB5412NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB5412NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":23200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB5412NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@0V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6L039ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6L039ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1179pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.02mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVBG040N120SC1
    onsemi Mosfet场效应管 NVBG040N120SC1

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBG040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:357W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1789pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2007pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2007pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STD60NF55LT4
    ST Mosfet场效应管 STD60NF55LT4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD60NF55LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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