采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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