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销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J5TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：QS8J5TR
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功率：600mW
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输入电容：1100pF@10V
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漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
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功率：1.1W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：600mW
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：1100pF@10V
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导通电阻：39mΩ@5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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导通电阻：39mΩ@5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
导通电阻：41mΩ@5A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
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功率：600mW
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连续漏极电流：5A
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导通电阻：39mΩ@5A，10V
输入电容：1100pF@10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QS8J5TR
功率：600mW
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漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：39mΩ@5A，10V
输入电容：1100pF@10V
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输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
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功率：1.1W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：150℃
功率：1.1W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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