采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW50N65DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.5nC@10V
输入电容：52.5nF@100V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：48nC@10V
输入电容：2.135nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@10V，16.5A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ331N25TL
功率：1.56W€211W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：4.5nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT40N10D
功率：70W
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT40N10D
功率：70W
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT105N10F
功率：20.8W
阈值电压：1.7V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：48nC@10V
输入电容：2.135nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@10V，16.5A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：48nC@10V
输入电容：2.135nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@10V，16.5A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：48nC@10V
输入电容：2.135nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@10V，16.5A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU4615PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@50V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@21A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530NS-JSM
功率：110W
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NS-JSM
功率：110W
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW50N65DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.5nC@10V
输入电容：52.5nF@100V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT40N10D
功率：70W
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT40N10D
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，12A
功率：70W
漏源电压：100V
连续漏极电流：33A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT40N10D
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，12A
功率：70W
漏源电压：100V
连续漏极电流：33A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW50N65DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.5nC@10V
输入电容：52.5nF@100V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：48nC@10V
输入电容：2.135nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@10V，16.5A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
