采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：21.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH40N120G2V-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：5V
栅极电荷：63nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：75mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：21.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：21.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R072M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：140W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：94mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU4615PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@50V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@21A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：21.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R072M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：140W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：94mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：21.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：21.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R072M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：140W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：94mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R072M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：140W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：94mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG
功率：46W
包装方式：Reel
导通电阻：21.1mΩ
漏源电压：80V
阈值电压：2V
连续漏极电流：33A
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R072M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：140W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：94mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：21.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH40N120G2V-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：5V
栅极电荷：63nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：75mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：1.75nF@50V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@10V，21A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：75W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：16.7nC@5V
输入电容：2.275nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH40N120G2V-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：5V
栅极电荷：63nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：75mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：1000psc
规格型号(MPN)：SCTH40N120G2V-7
包装方式：Reel
功率：250W
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：63nC
连续漏极电流：33A
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：5V
漏源电压：1.2kV
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y21-40E，115
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
输入电容：824pF@25V
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
连续漏极电流：33A
阈值电压：2.1V@1mA
导通电阻：17mΩ@10V，10A
栅极电荷：7nC@5V
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
