采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：14194，"08+"：50，"09+"：822}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4108NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€96.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6005LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2962pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4296
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@50V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@13.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：14636}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4108NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€96.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6005LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2962pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：4008809，"17+"：273，"MI+"：58162}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@15V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6005LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2962pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6005LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2962pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：14636}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4108NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€96.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：4008809，"17+"：273，"MI+"：58162}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@15V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6005LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2962pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
