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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP34N055SLE-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@17A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：34A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：3216pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：34A
功率：14W
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
类型：P沟道
栅极电荷：56nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
