采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3670
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€83W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490pF@50V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7631-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：29.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1738pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3670
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€83W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490pF@50V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3670
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€83W
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栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490pF@50V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3670
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490pF@50V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7631-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1738pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3670
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€83W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490pF@50V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：530，"19+"：800，"22+"：3300}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7631-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1738pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3670
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490pF@50V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3670
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
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输入电容：2490pF@50V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.3A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3670
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ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490pF@50V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：530，"19+"：800，"22+"：3300}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7631-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1738pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3670
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€83W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490pF@50V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3670
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490pF@50V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3670
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€83W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490pF@50V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
