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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7414
功率：23W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：14nC
输入电容：600pF
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF
导通电阻：11mΩ@10V，20.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
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功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
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功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
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连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：34A
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：1100pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7414
功率：23W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：14nC
输入电容：600pF
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF
导通电阻：11mΩ@10V，20.0A
漏源电压：30V
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7414
功率：23W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：14nC
输入电容：600pF
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF
导通电阻：11mΩ@10V，20.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.2V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：34A
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
输入电容：1100pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
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