采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF4185
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2550pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y27-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：59.4W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：959pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y27-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：59.4W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：959pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK9Y27-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：59.4W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：959pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
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功率：23W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
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功率：23W
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输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
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规格型号(MPN)：AOTF4185
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2550pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK9Y27-40B，115
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功率：59.4W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
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输入电容：959pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
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连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：23W
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连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
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导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：BUK9Y27-40B，115
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栅极电荷：11nC@5V
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输入电容：959pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@15A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
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导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
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连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
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功率：23W
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连续漏极电流：34A
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导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
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功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK9Y27-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：59.4W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：959pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y27-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：59.4W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：959pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y27-40B，115
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
连续漏极电流：34A
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阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：959pF@25V
栅极电荷：11nC@5V
功率：59.4W
ECCN：EAR99
导通电阻：24mΩ@15A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：34A
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：1100pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y27-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：59.4W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：959pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y27-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：59.4W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：959pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
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