采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4610TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4517，"MI+"：2245}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4610TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9614-55A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：149W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3307pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：843pF@15V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：843pF@15V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：843pF@15V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD096N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：3.5V@46µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@40V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@46A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：843pF@15V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD096N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：3.5V@46µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@40V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@46A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：843pF@15V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4610TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9614-55A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：149W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3307pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4517，"MI+"：2245}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD096N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：3.5V@46µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@40V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@46A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD096N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：3.5V@46µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@40V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@46A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD096N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：3.5V@46µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@40V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@46A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
