品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
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功率:100W
阈值电压:3V@1mA
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栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
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类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
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行业应用:工业,汽车
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阈值电压:3V@1mA
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类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
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规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
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功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:158nC@10V
阈值电压:3V@1mA
输入电容:7770pF@10V
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
工作温度:175℃
类型:P沟道
功率:100W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:80A
输入电容:7.77nF@10V
漏源电压:40V
功率:100W
栅极电荷:158nC@10V
阈值电压:3V@1mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
包装清单:商品主体 * 1
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