品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA80N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3040pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":548}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD082N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN9R8-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:50.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3384pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8010STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:260W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3830pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD082N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN9R8-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:50.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3384pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP072N10N3 G
功率:150W
阈值电压:3.5V@90μA
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10V,80A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP072N10N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.85mΩ@10V,16A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP086N10N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5
功率:2.5W
阈值电压:3.8V@50μA
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@10V,40A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD050N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.8V@84µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8010STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:260W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3830pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP072N10N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI086N10N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD082N10N3G
功率:125W
阈值电压:3.5V@75μA
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.2mΩ@10V,73A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: