品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":548}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC80N06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG80N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6600pF@100V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@40A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG80N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6600pF@100V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@40A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP80N25X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.5V@1.5mA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@40A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC80N06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX80N60P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1300W
阈值电压:5V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13100pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80P06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5450pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:8.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK80N50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:197nC@10V
输入电容:12700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@40A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@50µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP80N075L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@40A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":526735}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD80N02-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80P06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5450pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:8.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC610P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€48W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:99nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@6V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@22A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK80N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:5.5V@4mA
栅极电荷:143nC@10V
输入电容:8245pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@40A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":548}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH80N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:5.5V@4mA
栅极电荷:143nC@10V
输入电容:8245pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@40A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC610P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€48W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@6V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@22A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: