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    连续漏极电流: 1.5A
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 30V
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:200+
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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:40
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001 起订32个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001 起订32个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:32
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:6
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:47
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7401_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:1.3V@250µA

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:443pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    导通电阻:115mΩ@1.5A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:11nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3300UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3300UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3300UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:193pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    栅极电荷:2.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV100XPR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV100XPR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV100XPR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P03E6TA 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P03E6TA 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17483F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV100XPR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV100XPR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV100XPR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:28
    ROHM Mosfet场效应管 US6K1TR
    ROHM Mosfet场效应管 US6K1TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):US6K1TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:80pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:240mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P03E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P03E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17483F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8816EDB-T2-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8816EDB-T2-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8816EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P03E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P03E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17483F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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