品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:250pF@24V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV100XPR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:354pF@15V
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
栅极电荷:6.4nC@4.5V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
功率:340mW€2.1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV100XPR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:354pF@15V
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
栅极电荷:6.4nC@4.5V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
功率:340mW€2.1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:250pF@24V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS314PEH6327XTSA1
阈值电压:2V@6.3µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:140mΩ@1.5A,10V
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
栅极电荷:2.9nC@10V
类型:P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV100XPR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:354pF@15V
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
栅极电荷:6.4nC@4.5V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
功率:340mW€2.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV100XPR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:354pF@15V
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
栅极电荷:6.4nC@4.5V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
功率:340mW€2.1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:250pF@24V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS314PEH6327XTSA1
阈值电压:2V@6.3µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:140mΩ@1.5A,10V
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
栅极电荷:2.9nC@10V
类型:P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7401_R1_00001
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:443pF@15V
连续漏极电流:1.5A
导通电阻:115mΩ@1.5A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@1.5A,10V
阈值电压:2V@11µA
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:2.3nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17483F4T
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.1V@250µA
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
栅极电荷:1.3nC@4.5V
ECCN:EAR99
导通电阻:240mΩ@500mA,8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
栅极电荷:10.2nC@10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
导通电阻:150mΩ@1.6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:250pF@24V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@1.5A,10V
阈值电压:2V@11µA
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3300UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:193pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: