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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，900mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，900mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV90EPR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP1488WT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：30pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP1488WT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：30pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV90EPR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV90EPR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV90EPR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV90EPR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，900mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV90EPR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：450pF@20V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.1nC@5V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，900mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
