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    连续漏极电流: 47A
    包装方式: 管件
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SiHG47N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SiHG47N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SiHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N-Channel

    导通电阻:64mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000F@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60-F109
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60-F109

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA47N60-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N-Channel

    导通电阻:64mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:25
    加购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHW47N60E-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHW47N60E-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHW47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订125个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订125个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:125
    加购:25
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":65,"19+":85,"20+":100,"MI+":450}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:368W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:管件

    输入电容:6700pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000F@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60N 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60N 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":65,"19+":85,"20+":100,"MI+":450}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:368W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6700pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    IXYS Mosfet场效应管 FDM47-06KC5 起订25个装
    IXYS Mosfet场效应管 FDM47-06KC5 起订25个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDM47-06KC5

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3.5V@3mA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6800pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@44A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60N
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:368W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6700pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N-Channel

    导通电阻:64mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N-Channel

    导通电阻:64mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N-Channel

    导通电阻:64mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000F@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:510
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000F@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA47N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N-Channel

    导通电阻:64mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHW47N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHW47N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHW47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60N
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":65,"19+":85,"20+":100,"MI+":450}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:368W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6700pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    Microchip Mosfet场效应管 APT47N60BC3G 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT47N60BC3G 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT47N60BC3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.9V@2.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7015pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@30A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60F-F133
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60F-F133

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60F-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N-Channel

    导通电阻:64mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N-Channel

    导通电阻:64mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000F@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
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