品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:5.7V@12.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2288pF@400V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@41.1A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3234pF@15V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":322,"20+":136250,"21+":25400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL3103STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@34A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB64N25S320ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@64A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:5.7V@12.3mA
栅极电荷:67nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2288pF@400V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@41.1A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3234pF@15V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":667}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7619-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB200N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7100pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@64A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB200N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7100pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@64A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2071
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@13mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3931pF@50V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10,8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:5.7V@12.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2288pF@400V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@41.1A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2071
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@13mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3931pF@50V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R5-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1093pF@12V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3234pF@15V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M9R1-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:16.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2048pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC066N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC066N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@130µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0040120J1-TR
工作温度:-40℃~150℃
功率:272W
阈值电压:3.6V@9.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@1000V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:53.5mΩ@33.3A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10,8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: