采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.2nC@10V
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
