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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
