采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2090pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2090pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WPB4002-1E
工作温度：150℃
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栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：WPB4002-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
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功率：190W
阈值电压：5V@250µA
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连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11.5A，10V
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类型：N沟道
连续漏极电流：23A
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包装方式：管件
漏源电压：600V
导通电阻：150mΩ@11.5A，10V
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