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    连续漏极电流: 23A
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    漏源电压: 600V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R022S7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R022S7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R022S7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5639pF@300V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@23A,12V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订143个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订143个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:141W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28NM60ND 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB28NM60ND 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:62.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB23N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB23N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB23N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2418pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP28NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP28NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:62.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2090pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R102G7XTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R102G7XTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4V@390µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 WPB4002 起订44个装
    onsemi Mosfet场效应管 WPB4002 起订44个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPB4002

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€220W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:2200pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 WPB4002 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 WPB4002 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPB4002

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€220W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:2200pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R102G7XTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R102G7XTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4V@390µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP23N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2418pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 WPB4002 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 WPB4002 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPB4002

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€220W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:2200pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP23N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2418pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4222 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4222 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":10092}

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4222

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€220W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:2250pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:141W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:141W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:141W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:141W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB23N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB23N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB23N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2418pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R022S7XTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R022S7XTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R022S7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@12V

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    输入电容:5639pF@300V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@23A,12V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:141W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:141W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP28NM60ND 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP28NM60ND 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:62.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2090pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-BE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-BE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP23N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2418pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4222 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4222 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":10092}

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4222

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€220W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:2250pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R022S7XTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R022S7XTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R022S7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5639pF@300V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@23A,12V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:141W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 WPB4002-1E 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 WPB4002-1E 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":3600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPB4002-1E

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€220W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2200pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R022S7XTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R022S7XTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R022S7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5639pF@300V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@23A,12V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB23N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB23N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB23N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2418pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:141W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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