品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N04NSG
功率:2.5W
阈值电压:4V@49μA
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@10V,50A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NS
功率:2.5W
阈值电压:2.8V@50μA
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3 G
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@93μA
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NS
功率:2.5W
阈值电压:2.8V@50μA
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NS
功率:2.5W
阈值电压:2.8V@50μA
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N04NSG
功率:2.5W
阈值电压:4V@49μA
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@10V,50A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3 G
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@93μA
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NS
功率:2.5W
阈值电压:2.8V@50μA
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NS
功率:2.5W
阈值电压:2.8V@50μA
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NS
功率:2.5W
阈值电压:2.8V@50μA
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NS
功率:2.5W
阈值电压:2.8V@50μA
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NS
功率:2.5W
阈值电压:2.8V@50μA
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: