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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3652，"22+"：15869，"23+"：9000，"24+"：15000，"MI+"：5797}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3652，"22+"：15869，"23+"：9000，"24+"：15000，"MI+"：5797}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3652，"22+"：15869，"23+"：9000，"24+"：15000，"MI+"：5797}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3652，"22+"：15869，"23+"：9000，"24+"：15000，"MI+"：5797}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31L-T4-E3
功率：3W€100W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：31mΩ@15A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31L-T4-E3
功率：3W€100W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：31mΩ@15A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
