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    连续漏极电流: 23A
    阈值电压: 2.5V@250µA
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G23N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD23N06-31L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ158EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ158EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD23N06-31L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD23N06-31L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS71DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS71DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS71DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@50V

    连续漏极电流:23A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD23N06-31L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ956EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ956EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ956EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1395pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:26.7mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G23N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS71DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS71DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS71DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@50V

    连续漏极电流:23A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS71DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS71DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS71DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@50V

    连续漏极电流:23A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD23N06-31L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS71DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS71DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS71DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@50V

    连续漏极电流:23A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ158EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ158EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD23N06-31L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS71DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS71DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS71DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@50V

    连续漏极电流:23A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ956EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ956EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ956EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1395pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:26.7mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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