品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6415AN-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@23A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":750}
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规格型号(MPN):NTD6415AN-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@23A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTD6415AN-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@23A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTD6415AN-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@23A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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