采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y53-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y53-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5500，"19+"：4800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7675-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：99W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6415ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6415ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y53-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6415ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y53-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y53-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4500，"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y53-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6415ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4500，"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y53-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6415ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
