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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH24N65E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2814pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH24N65E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2814pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH24N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：202W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
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功率：202W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
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输入电容：2814pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
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功率：202W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
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输入电容：2814pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
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连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
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栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2814pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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