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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G23N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NS 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NS 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NS

    功率:2.5W

    阈值电压:2.8V@50μA

    连续漏极电流:23A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10V,50A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06LS3 G 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06LS3 G 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06LS3 G

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@93μA

    连续漏极电流:23A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10V,50A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD23N06-31L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NS 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NS 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NS

    功率:2.5W

    阈值电压:2.8V@50μA

    连续漏极电流:23A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10V,50A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ158EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ158EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD23N06-31L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2102 起订100个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2102 起订100个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2102

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@7mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:830pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:4.4mΩ@20A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31L-T4-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31L-T4-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD23N06-31L-T4-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD23N06-31L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31L-T4-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31L-T4-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD23N06-31L-T4-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD23N06-31L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ956EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ956EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ956EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1395pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:26.7mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G23N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31L-T4-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31L-T4-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD23N06-31L-T4-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD23N06-31L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NS 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NS 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NS

    功率:2.5W

    阈值电压:2.8V@50μA

    连续漏极电流:23A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10V,50A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31L-T4-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31L-T4-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD23N06-31L-T4-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ158EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ158EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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