采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB23N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2418pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2090pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP23N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2418pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP23N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2418pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB23N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
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ECCN：EAR99
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包装方式：管件
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连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2090pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP23N60E-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2418pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB23N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2418pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB23N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2418pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP23N60E-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2418pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2434pF@380V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP23N60E-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2418pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2434pF@380V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB23N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2418pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2434pF@380V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2434pF@380V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH165N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2434pF@380V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHP23N60E-GE3
功率：227W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
导通电阻：158mΩ@12A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
输入电容：2418pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHB23N60E-GE3
功率：227W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
导通电阻：158mΩ@12A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
输入电容：2418pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHB23N60E-GE3
功率：227W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
导通电阻：158mΩ@12A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
漏源电压：600V
输入电容：2418pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHP23N60E-BE3
功率：227W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
导通电阻：158mΩ@12A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
输入电容：2418pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2434pF@380V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP23N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2418pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
