品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5807NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:603pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{}
规格型号(MPN):NVD5807NT4G
导通电阻:31mΩ@5A,10V
输入电容:603pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:23A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:20nC@10V
功率:33W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: