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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
