采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ858AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y13-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1311pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ858AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ858AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ868EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
