品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y12-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:9.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:托盘
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:托盘
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:托盘
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1039pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1039pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@137µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@52A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@137µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@52A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@137µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@52A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R035M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:59nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@25A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1039pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R035M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:59nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@25A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1039pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1039pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: