包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ALD910026SAL

工作温度：0℃~+70℃

功率：500mW

阈值电压：2.62V

包装方式：Tube

连续漏极电流：80mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.6MΩ

漏源电压：10.6V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ALD910023SAL

工作温度：0℃~+70℃

功率：500mW

阈值电压：2.28V

ECCN：EAR99

包装方式：Tube

连续漏极电流：80mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.3MΩ

漏源电压：10.6V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ALD810027SCL

工作温度：0℃~+70℃

功率：500mW

阈值电压：2.72V

ECCN：EAR99

包装方式：Tube

连续漏极电流：80mA

类型：MOSFET

导通电阻：23Ω

漏源电压：10.6V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ALD212900PAL

工作温度：0℃~70℃

功率：500mW

阈值电压：20mV@20µA

包装方式：管件

输入电容：30pF@5V

连续漏极电流：80mA

类型：2N沟道（双）配对

导通电阻：14Ω

漏源电压：10.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ALD810027SCL

工作温度：0℃~+70℃

功率：500mW

阈值电压：2.72V

ECCN：EAR99

包装方式：Tube

连续漏极电流：80mA

类型：MOSFET

导通电阻：23Ω

漏源电压：10.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ALD910024SAL

工作温度：0℃~+70℃

功率：500mW

阈值电压：2.42V

包装方式：Tube

连续漏极电流：80mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4MΩ

漏源电压：10.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ALD810022SCL

工作温度：0℃~+70℃

功率：500mW

阈值电压：2.22V

ECCN：EAR99

包装方式：Tube

连续漏极电流：80mA

类型：MOSFET

导通电阻：4kΩ

漏源电压：10.6V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ALD810023SCL

工作温度：0℃~+70℃

功率：500mW

阈值电压：2.32V

ECCN：EAR99

包装方式：Tube

连续漏极电流：80mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.3MΩ

漏源电压：10.6V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ALD810026SCL

工作温度：0℃~+70℃

功率：500mW

阈值电压：2.62V

ECCN：EAR99

包装方式：Tube

连续漏极电流：80mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.6MΩ

漏源电压：10.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ALD210800SCL

工作温度：0℃~70℃

功率：500mW

阈值电压：20mV@10µA

包装方式：管件

输入电容：15pF@5V

连续漏极电流：80mA

类型：4N沟道，配对

导通电阻：25Ω

漏源电压：10.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ALD810023SCL

工作温度：0℃~+70℃

功率：500mW

阈值电压：2.32V

ECCN：EAR99

包装方式：Tube

连续漏极电流：80mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.3MΩ

漏源电压：10.6V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ALD810022SCL

工作温度：0℃~+70℃

功率：500mW

阈值电压：2.22V

ECCN：EAR99

包装方式：Tube

连续漏极电流：80mA

类型：MOSFET

导通电阻：4kΩ

漏源电压：10.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ALD810023SCL

工作温度：0℃~+70℃

功率：500mW

阈值电压：2.32V

ECCN：EAR99

包装方式：Tube

连续漏极电流：80mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.3MΩ

漏源电压：10.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN60H080DS-13

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.1W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：1.7nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：25pF@25V

连续漏极电流：80mA

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@60mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1