采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：689，"21+"：55972，"MI+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：219194，"20+"：4480，"23+"：1500，"MI+"：30905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：219194，"20+"：4480，"23+"：1500，"MI+"：30905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：65300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2451BTL-E1-A
功率：700mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@4V
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：8.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
